IR 场效应管 IRFR120NTRPBF_深圳市百润电子有限公司

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产品分类

优势库存(1000)普通库存(80000)集成电路(IC)(17)

其他IC(17)

场效应管MOSFET(13)

MOSFET(13)

铝电解电容(1)

贴片/片式电阻(1)

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IR 场效应管 IRFR120NTRPBF

IR 场效应管 IRFR120NTRPBF

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IR 场效应管 IRFR120NTRPBF

型号/规格：

IRFR120NTRPBF

品牌/商标：

IR

封装形式：

N/A

环保类别：

普通型

安装方式：

贴片式

包装方式：

卷带编带包装

QQ:23610483190

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产品信息

IRFR120NTRPBF制造商:	Infineon
产品种类:	MOSFET

IRFR120NTRPBF安装风格:	SMD/SMT
IRFR120NTRPBF封装 / 箱体:	TO-252-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	100 V
Id-连续漏极电流:	9.4 A
Rds On-漏源导通电阻:	210 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	1.8 V
Qg-栅极电荷:	25 nC

min工作温度:	- 55 C
max工作温度:	+ 175 C

Pd-功率耗散:	48 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Infineon / IR
配置:	Single
下降时间:	23 ns
高度:	2.3 mm
长度:	6.5 mm
产品类型:	MOSFET
上升时间:	23 ns
工厂包装数量:	2000
子类别:	MOSFETs
晶体管类型:	1 N-Channel
类型:	HEXFET Power MOSFET
典型关闭延迟时间:	32 ns
典型接通延迟时间:	4.5 ns
宽度:	6.22 mm
零件号别名:	IRFR120NTRPBF SP001566944
单位重量:	330 mg