INFINEON 晶体管 IPB025N10N3G_深圳市百润电子有限公司

IC型号
IC型号非IC关键词 PDF 技术资料电子资讯

非IC关键词

深圳市百润电子有限公司

: 卖家积分：营业执照：已审核经营模式：贸易/代理/分销所在地区：广东深圳

收藏本公司人气：115750

企业档案

相关证件：
会员类型：
会员年限：6年

麦逸芬
电话：0755-83233172
手机：13430483190

阿库IM：
地址：深圳市福田区华强北路华强广场7楼空中花园001号（长信广汇科技）
E-mail：1943137555@qq.com

产品分类

优势库存(1000)普通库存(80000)集成电路(IC)(17)

其他IC(17)

场效应管MOSFET(13)

MOSFET(13)

铝电解电容(1)

贴片/片式电阻(1)

电源/稳压器(2)

其他类型电源(2)

其他未分类(75)

其他(75)

您的当前位置：深圳市百润电子有限公司 > 元器件产品

INFINEON 晶体管 IPB025N10N3G

INFINEON 晶体管 IPB025N10N3G

<>

INFINEON 晶体管 IPB025N10N3G

型号/规格：

IPB025N10N3G

品牌/商标：

INFINEON（英飞凌）

封装形式：

N/A

环保类别：

普通型

安装方式：

贴片式

包装方式：

卷带编带包装

QQ:23610483190

询价

询价

相关产品

: IR 场效应管 IRFR120NTRPBF

: INFINEON 晶体管 IPB025N10N3G

: ST/意法晶体管 STP110N8F6

: VISHAY/威世晶体管 SQ2309ES-T1_GE3

: ON/安森美晶体管 FQPF8N80C

产品信息

IPB025N10N3G制造商:	Infineon
产品种类:	MOSFET

IPB025N10N3G安装风格:	SMD/SMT
IPB025N10N3G封装 / 箱体:	TO-263-7
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	100 V
Id-连续漏极电流:	180 A
Rds On-漏源导通电阻:	2 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2 V
Qg-栅极电荷:	206 nC

min工作温度:	- 55 C
max工作温度:	+ 175 C

Pd-功率耗散:	300 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	OptiMOS
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Infineon Technologies
配置:	Single
下降时间:	28 ns

正向跨导 - min值:

100 S

高度:	4.4 mm
长度:	10 mm
产品类型:	MOSFET
上升时间:	58 ns
系列:	OptiMOS 3
工厂包装数量:	1000
子类别:	MOSFETs
晶体管类型:	1 N-Channel
类型:	OptiMOS 3 Power-Transistor
典型关闭延迟时间:	84 ns
典型接通延迟时间:	34 ns
宽度:	9.25 mm
零件号别名:	SP000469888 IPB25N1N3GXT IPB025N10N3GATMA1
单位重量:	1.600 g